2024年度 SIMS研究会17
「SIMS及びその他の表面分析法における局所分析の最前線」
開催趣旨：
二次イオン質量分析法(SIMS)においては、サブ10nmレベルの集束イオンビームが実用化され、そのようなスケールでの局所分析が可能となってきています。またナノメートル以下に集束された電子ビームを用いるSEM-EDXなど他の表面分析法でも局所分析が行われます。本研究会では、新しいイオン源であるCold Ion Sourceを使い世界で最も高空間分解能のSIMS装置を開発しているTom Wirtz先生にご講演いただくとともに、表面分析法による局所分析の最新状況について大学および企業の研究者の先生方にご講演いただき、局所分析の現状と今後について考えます。
多くの皆様のご参加をお待ちしております
日時：2024年11月22日（金）13時30分から
会場：機械振興会館 B3-6会議室 (東京都港区芝公園3-5-8)
https://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/index.html
開催方式：対面のみ
招待講演者
Tom Wirtz先生 (Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST))
“Nanoscale chemical imaging on FIB platforms using a novel magnetic sector SIMS instrument”
坂本直哉先生 (北海道大学)
橋本陽一朗先生 (日立ハイテク)
講演は英語で行われます。
講演タイトルなどの情報は順次更新いたします。
参加費：無料
※参加登録のお願い
本研究会の参加費は無料ですが、研究会会場のスペースには限りがありますので、参加登録をお願いいたします。また研究会終了後、講演者の先生方と親睦を深めるための懇親会を予定しておりますので、参加登録の際、懇親会への出欠もお知らせください（懇親会費につきましては現地にて実費の数千円をお願いする予定です）。
懇親会準備の都合上、なるべく11/15(金)までにご登録ください。
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